当社子会社における新会社設立並びに新工場着工に関するお知らせ

平成 30 年 4 月 16 日

各 位
会 社 名 株式会社フェローテックホールディングス
代表者名 代表取締役社長 山村 章
（ＪＡＳＤＡＱ･コード６８９０）
問合せ先 取締役経営企画担当 若木 啓男
（０３-３２８１-８１８６）



当社子会社における新会社設立並びに新工場着工に関するお知らせ



当社は、昨年 12 月に当社子会社の上海申和熱磁電子有限公司の 100%連結子会社として、半導体製造装置、
FPD 製造装置の部品の精密再生洗浄工場の中国における新規開設を目的に、中華人民共和国安徽省銅陵市に新会
社（安徽富楽徳科技発展有限公司）を設立し、平成 30 年 3 月 28 日に新工場の着工式を執り行いましたのでお知
らせいたします。



１． 目的と狙い

当社は 2001 年に中国上海において、半導体製造装置、FPD 製造装置の部品の精密再生洗浄事業に参入して
以来、天津、四川、大連へと順調に拠点を拡大して参りました。また、最近は『中国製造 2025㊟』に伴う中国
政府による中国国内の半導体メーカー育成・強化の中で、微細化、3D 化等の先端投資に応じて半導体製造装置
の部品の洗浄頻度と要求精度が上昇しており、大手半導体デバイスメーカー及びＦＰＤパネルメーカー並びに
同製造装置メーカー各社から当社に対し、洗浄工場の新規拠点の開設要請が来ておりました。
当社としては、 顧客との関係強化と洗浄事業の更なる拡大を図れる好機と捉え、 近年半導体やＦＰＤパネル
メーカーの進出が著しい安徽省に 5 拠点目の洗浄工場を開設することとしました。今回の工場新設により、当
社は当該事業の中国における更なる市場シェアの拡大と収益力を向上させることが可能になるとともに、中国
における精密再生洗浄業界の No.1 サービスプロバイダーとしての地位をさらに強固なものにすることが期待
されます。
尚、当社グループとしては、 引き続き本精密再生洗浄事業を通して主力セグメントである装置関連事業の半
導体製造装置部品（真空部品・マテリアル製品）の拡販に繋げて行きながら、同事業の比重をさらに上げてい
く所存です。




注) 中国政府（国務院）が、「製造強国」を目指すべく、2015 年 5 月 19 日に発表した将来における製造業発展のロードマップであり、
2025 年に向けて中国の製造力を世界トップ水準に引き上げる発展方針が打ち出されております。その中には、製造業のイノベーショ
ン能力の向上や情報化と工業化の高度な融合の推進をはじめとする九つの戦略任務と、次世代情報技術、高度なデジタル制御の工作
機械とロボット、航空・宇宙設備などからなる十の重点分野が盛り込まれており、半導体については、先端 IC とコア製造装置の国産
化が主な方針として打ち出されています。




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２．設立した会社の概要
（１） 名 称 安徽富楽徳科技発展有限公司
（２） 所 在 地 中国安徽省銅陵市金橋経済開発区内
（３） 代表者の役職・氏名 董事長 賀 賢漢
（４） 事 業 内 容 半導体・液晶向け高純度プロセスツールパーツ洗浄サービス
（５） 資 本 金 5,000 万人民元
（６） 設 立 年 月 日 2017 年 12 月 26 日
（７） 大株主及び持ち株比率 上海申和熱磁電子有限公司（当社連結子会社）100%
（８） 上場会社と当該会社 資 本 関 係 当社が 100%出資している上海申和熱磁電子有限公司が
と の 間 の 関 係 100%出資の孫会社となります。
人 的 関 係 該当事項はありません
取 引 関 係 記載すべき取引関係はありません。



３．新工場の概要
（１） 所 在 地 中国安徽省銅陵市金橋経済開発区内
（２） 敷 地 面 積 約 36,663 ㎡
（３） 進出地域、優遇措置 ＜進出地域＞
銅陵市金橋経済開発区は上海から西へ約350kmの上海と武漢の中間
地に位置し、また、南京からは約160km、合肥からも約180kmと、長江
デルタエリアを全てカバーできる位置にあります。また、交通アクセ
スとしては、上海から新幹線で約3時間半と日帰り圏内にあります。
＜優遇措置＞
主に、土地購入・装置購入・税金に関して、補助金及び還付等の優
遇措置が受けられます。
（４） 投 資 形 態 土地、建物、設備とも自己投資による。
（５） 生 産 品 目 PVD,CVD,ETCH 等㊟で使用される半導体・液晶製造装置部品高精密再生洗浄
（６） 投 資 金 額 約 5,000 万元（設備投資及び運転資金を含む）
（７） 資 金 調 達 方 法 自己資金
（８） 稼 働 開 始 日 2018 年 12 月頃



４．今後の見通し
当社の平成 31 年 3 月期の連結業績に与える影響は軽微と見込んでおりますが、今後開示すべき事項が生じ
た場合には、速やかにお知らせいたします。

以 上




注) PVD (Physical Vapor Deposition): 物理的気相成長と言われる半導体製造プロセスの一つで、真空中で金属の原子や分子を物質の
表面に高速でぶつけることでウェハーに膜を堆積させる方法。
CVD (Chemical Vapor Deposition) : 化学的気相成長と言われる半導体製造プロセスの一つで、物質表面あるいは気相での化学反
応によりウェハーの表面に膜を堆積させる方法。
ETCH：半導体製造プロセスの一つで、ウェハー上に酸化膜等の薄膜を形成し、フォトレジストを塗布してパターン露光後に不要な薄
膜を除去する方法。



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【着工式の様子】




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