科学技術振興機構「産学共同実用化開発事業」開発課題「大型フラットパネルディスプレイ向けレーザアニール技術」採択に関するお知らせ

（ＰＲ情報）
各 位
平成27年3月5日
会 社 名 株式会社ブイ・テクノロジー
代 表 者 代表取締役社長 杉本重人
（コード番号：7717 東証 1 部）
問合せ先 企画部 IR グループ長 吉村省吾
（TEL：045-338-1980）


独立行政法人科学技術振興機構「産学共同実用化開発事業」
開発課題「大型フラットパネルディスプレイ向けレーザアニール技術」採択に関するお知らせ


株式会社ブイ・テクノロジー（本社：横浜市保土ヶ谷区、以下「当社」）は、独立行政法人科学
技術振興機構（以下「ＪＳＴ」）の産学共同実用化開発事業（以下「ＮｅｘＴＥＰ」 *の第四回募集
）
に応募しておりましたが、平成 27 年 3 月 1 日付けで開発課題「大型フラットパネルディスプレイ
向けレーザアニール技術」として正式に採択されましたのでお知らせいたします。


開発課題「大型フラットパネルディスプレイ向けレーザアニール技術」は、国立大学法人 山形
大学 大学院理工学研究科 城戸淳二教授のレーザアニール処理 **に関するシーズ特許を利用した新
しい大型・高精細フラットパネルディスプレイ向けのレーザアニール技術であり、レーザアニール
処理効率を飛躍的に向上し、その処理速度を向上、かつ処理にかかわるランニングコストをも低減
可能にする技術です。平成 27 年 3 月 1 日より本開発を開始し、次世代大型・高精細フラットパネ
ルディスプレイ製造に貢献できる製造装置としての実用化を目指します。



* 産学共同実用化開発事業について
ＮｅｘＴＥＰは、大学などの研究成果に基づくシーズを用いた、企業単独では困難な開発を支援し
実用化を目指す、産学連携プロジェクト支援事業です。


** レーザアニール処理とは
フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）はガラス基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を低温で
形成しなければならないため、低温処理プロセスが必須となっています。一方で、次世代のディス
プレイの大型化や高精細化には電子移動度の高いポリシリコン半導体膜が必要です。
このような低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）プロセスにおいてポリシリコン半導体膜を形成するに
は、低温処理プロセスで成膜されたアモルファスシリコン半導体膜に紫外線パルスレーザ光を照射
し、ガラス基板の温度を上げずに瞬間的にアモルファスシリコン半導体膜のみ溶融、再結晶化（ポ
リシリコン化）させるレーザアニール処理が使われています。


以上