新製品：SiCウェハ欠陥検査/レビュー装置「WASAVIシリーズSICA88」を発表

2015 年 9 月 24 日
各 位
レーザーテック株式会社
東証第一部・コード 6920
代表者名 代表取締役社長 岡林 理




新製品：SiC ウェハ欠陥検査/レビュー装置「WASAVI シリーズ SICA88」を発表

レーザーテック株式会社は、このほど表面検査およびフォトルミネッセンス（PL）検査の両方を備え、
SiC ウェハの表面と内部の欠陥を検出、高精度分類まで同時に行える SiC ウェハ欠陥検査/レビュー
装置 SICA88 を製品化いたしました。すでに受注活動を開始し、ローム株式会社様を始めとし、複数
社での採用が決定しております。


SiC パワーデバイスはすでにエアコン、太陽光発電システム、鉄道車両などに使用されており、今後
電気自動車などへの搭載が期待され、市場を着実に拡げております。しかし、SiC パワーデバイスは、
その製造の難しさゆえに、いまだ生産工程において結晶欠陥などの様々な問題が発生しており、品質
の確保とコストの両面で大きな課題を抱えています。ウェハメーカーではウェハの品質向上と品質管理
が必要とされ、デバイスメーカーにおいてはデバイスの歩留り向上と、さらなる低コスト化が求められて
います。


SICA はこのようなニーズにお応えした検査装置で、2009 年に研究開発用の SICA61、2011 年に量
産用の SICA6X を発売以来、高い検出感度と高精度な欠陥分類が評価され、業界標準機として多く
のお客さまにご採用いただいている製品です。


このたび新たに開発した SICA88 は従来からのコンフォーカル DIC 光学系による表面検査と PL 検
査を 1 台に搭載した新しいプラットフォームの検査装置です。表面検査ではウェハ表面のスクラッチや
エピ欠陥を、PL 検査ではエピ膜内部の基底面転位（BPD）や積層欠陥（SF）を同時に検出・高精度分
類・判定することで、デバイスの不良原因となる欠陥の発見および解析に役立ちます。また、スループ
ットは既存機種である SICA6X の 2 倍に高めました。さらに、BPD 検査を行う場合もスループットを落と
さず検査ができます。本装置はウェハプロセス、Epi プロセス、デバイスプロセスの各プロセスモニタとし
て、欠陥発生の原因追及に最適であり、さらにウェハのグレーディング※1 によるプロセスコストの削減と
デバイスの歩留り向上を可能にいたします。


レーザーテックは、これからも欠陥検査技術の開発に一層の力を注ぎ、パワーデバイスの品質およ
び生産性の向上に貢献してまいります。
※1 ウェハの選別と、ランク付け




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【特長】
・表面欠陥と同時にエピ膜付きウェハ内部の基底面内転移（BPD）、積層欠陥(SF)など
結晶欠陥を高感度に検出
・欠陥の高解像度レビュー画像の取得と同時に高精度自動欠陥分類（ADC）によって、各種
欠陥を詳細分類。高解像度の欠陥画像を取得できるため、顕微鏡での再観察不要
・φ6 インチウェハ全面検査で 20 枚/時間（ハイスループットモード）。量産対応が可能な高ス
ループットを実現


【用途】
・SiC ウェハ、エピウェハの出荷・受入検査
・SiC エピタキシャル成長プロセスの管理
・SiC 研磨プロセスの管理
・SiC デバイス製造プロセスの管理


【仕様】
対応基板サイズ (インチ) φ4、φ6、φ8 インチ
検査対象ウェハ バルク SiC、エピ膜付 SiC
スループット ノーマルモード 10 枚（φ6 インチ）/時間
ハイスループットモード 20 枚（φ6 インチ）/時間
光学検査（表面欠陥検査） 光学系 コンフォーカル光学系および微分干渉
光源 532nm レーザー
PL 検査（内部欠陥検査） 光学系 フォトルミネッセンス
励起波長 313nm 365nm 他
PL 観察フィルタ NIR,NUV,VIS 他


【標準販売価格】
本体価格 1.3 億円～1.5 億円（価格はモデル・仕様により異なります）


【受注・販売目標台数】
初年度 15 台


◇製品お問い合わせ先◇
〒222-8552 横浜市港北区新横浜 2-10-1
レーザーテック株式会社 第 1 ソリューションセールス部 部長 関 寛和
TEL：045-478-7330 FAX：045-478-7333 E-mail： sales@Lasertec.co.jp

以上




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