SiC ウェハ欠陥検査/レビュー装置「SICA」最新機種、ローム(株)で採用

2015 年 8 月 25 日
各 位
レーザーテック株式会社
東証第一部・コード 6920
横浜市港北区新横浜 2-10-1
代表者名 代表取締役社長 岡林 理
発表担当 第 1 ソリューションセールス部
リーダー 神山 弦一郎


SiC ウェハ欠陥検査/レビュー装置「SICA」最新機種、ローム(株)で採用



当社の SiC ウェハ欠陥検査/レビュー装置「SICA」の最新機種が、パワーデバイスの分野で世
界のリーディングカンパニーであるローム株式会社（以下、ローム）に採用されました。


品質第一を企業目的に掲げるロームは、最先端のプロセス技術と回路設計技術により、業界
でトップクラスの品質・性能を有する各種半導体製品を世界中に提供しています。パワーデバ
イス分野においても、 （シリコンカーバイド）
SiC を中心に世界をリードしています。このたび、
SiC デバイスのさらなる製品品質向上と生産体制の強化に向けた取り組みの一環として、当社
の SiC ウェハ欠陥検査/レビュー装置「SICA」の最新機種の採用を決定しました。


SiC デバイスは、次世代パワー半導体の新たな材料として大きな期待と注目を集め、市場の
本格的な普及に向け、SiC ウェハやデバイスの高品質化への要望がますます高まっております。
中でも、研磨プロセス、及びエピタキシャルプロセスは、ウェハ品質を決定する最も重要なプ
ロセスとなります。特に、デバイスの特性に影響がある欠陥については、ウェハ表面のスクラ
ッチやエピ欠陥はもとより、エピ膜内部の基底面転位や積層欠陥にいたるまでを高速に検出・
分類し、各種の欠陥を低減することが、ウェハの高品質確保と歩留まり向上の喫緊の課題とな
ってきております。


当社の SiC ウェハ欠陥検査/レビュー装置「SICA」最新機種は、このようなニーズに応えるべ
く、ウェハ表面の各種欠陥検査とフォトルミネッセンスによる基底面転位や積層欠陥などの内
部欠陥を同時に、かつ極めて高速で検査することを可能にした新製品です。
レーザーテックは、これからも欠陥検査技術の開発、向上に一層力を注ぎ、パワーデバイス
の品質・生産性の向上に貢献してまいります。


以上